本實驗裝置主要由其空系統、微波激勵系統、供氣系統、基片溫控加熱系統以及循環水冶卻系統等組成。微波源產生2.45GHz的微波，沿著波導管傳輸，經環行器、四釘阻抗調配器等裝置，到達諧振腔反應室，氣體在微波的激勵下，獲得
很大的能量，在反應室的工作平臺處，形成球狀的等離子體。本裝置適合高校近代物理、材料物理等專業作為等離子體研究與技術應用方面實驗。

主要實驗內容
☆HFPCVD法在基片上制備各種功能薄膜材料;
☆MWPCVD法多壁碳納米管陣列的化學氣相沉積制備;
☆浮動催化裂解法制備單壁破納米管;
☆PECVD制備一維納米結構;
☆MWP化學合成。

儀器主要配置及技術參數

☆微波等離子體刻蝕精度達到亞徽米級。制備各種功能薄膜材料的速率較快;
☆鍍膜沉積室：Φ45mm×300mm石英玻璃，上進氣、下置抽氣系統，設有垂廈交叉的兩個方向的透明觀察窗，可直觀觀家等離子體的放電特性。
☆微波源功率:0~900W，連續可調輸出。
☆真空系統：機械式真空泵，交流市電220V，抽速：4L/s，極限氣壓：≤0.6Pa;
☆不銹鋼冷阱，高真空蝶閥，GI-40高真空蝶閥。
☆微波傳輸及微波諧振腔;配有環行器、水負載、三螺釘阻抗調配器，短路活塞，保證微波源安全工作。微波反射檢波測量系統，保證等離子體充分吸收微波的能量
☆供氣系統:四路獨立供氣管路，流量分別由轉子流量計控制;
☆真空測量:數顯復合真空計，兩路熱偶規，一路電離規：1.0x10³Pa~1.0x10^-5Pa。
☆反應室由石英玻璃制作，工作氣壓:幾帕~十千帕;直徑
Φ44mm:極限真空，6×10-¹P。
☆封閉式內循環水冷溫度調節系統，連續工作系統溫度≤30℃
☆整機配有水流報警系統，在水壓不夠或斷水時報警，并切斷微波電源等。
☆基片溫度范圍:200~1050℃，用熱電偶測溫，采用PID控溫。
☆設備控制:供電AC220V/50Hz單相三線制供電，功率：3KW。